华虹宏力申请栅极驱动电路专利提高了芯片逻辑合格的概率

　　国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“栅极驱动电路”的专利，公开号CN121310642A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种栅极驱动电路，包括：P型衬底、第一P型埋层、第一N型埋层、第二P型埋层、第二N型埋层、第一P型体区和第二P型体区、N型外延层、第一P型阱区、第二P型阱区、第一P+区和第一P+N+区、第一P+N+区为多个P型掺杂区和多个N型掺杂区相互交叉并邻接设置；第一栅极和Poly场板、第二P+N+区，第二P+N+区为多个P型掺杂区和多个N型掺杂区相互交叉并邻接设置；第三P+N+区，第三P+N+区为多个P型掺杂区和多个N型掺杂区相互交叉并邻接设置的环形P+N+区。本发明降低了寄生二极管和寄生三极管开启的几率，减小了寄生电流的产生，提高了芯片逻辑合格的概率。

　　天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线条，此外企业还拥有行政许可429个。

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